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VSSA3L6S-M3/5AT

VSSA3L6S-M3/5AT

僅供參考

型號 VSSA3L6S-M3/5AT
PNEDA編號 VSSA3L6S-M3-5AT
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 2.5A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VSSA3L6S-M3/5AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VSSA3L6S-M3/5AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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VSSA3L6S-M3/5AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)2.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果580mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1.5mA @ 60V
電容@ Vr,F395pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

7pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 880V

電容@ Vr,F

40pF @ 10V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 150V

電容@ Vr,F

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