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W25Q256JVBIQ

W25Q256JVBIQ

僅供參考

型號 W25Q256JVBIQ
PNEDA編號 W25Q256JVBIQ
描述 IC FLASH 256M SPI 24TFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W25Q256JVBIQ資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W25Q256JVBIQ
類別半導體內存IC內存
數據表
W25Q256JVBIQ, W25Q256JVBIQ數據表 (總頁數: 92, 大小: 1,663.18 KB)
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W25Q256JVBIQ規格

制造商Winbond Electronics
系列SpiFlash®
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁3ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-TFBGA (6x8)

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

8µs, 2.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

1Gb (128M x 8, 64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

120MHz

寫周期-字,頁

50µs, 2.4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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