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W25Q32FVTCIG

W25Q32FVTCIG

僅供參考

型號 W25Q32FVTCIG
PNEDA編號 W25Q32FVTCIG
描述 IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W25Q32FVTCIG資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W25Q32FVTCIG
類別半導體內存IC內存
數據表
W25Q32FVTCIG, W25Q32FVTCIG數據表 (總頁數: 99, 大小: 2,512.37 KB)
PDFW25Q32FVTBIG數據表 封面
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W25Q32FVTCIG規格

制造商Winbond Electronics
系列SpiFlash®
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小32Mb (4M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O, QPI
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁50µs, 3ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-TFBGA (6x8)

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內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

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電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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