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W632GG6KB-15 TR

W632GG6KB-15 TR

僅供參考

型號 W632GG6KB-15 TR
PNEDA編號 W632GG6KB-15-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 16 - 四月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W632GG6KB-15 TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W632GG6KB-15 TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W632GG6KB-15 TR, W632GG6KB-15 TR數據表 (總頁數: 159, 大小: 5,812.62 KB)
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W632GG6KB-15 TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率667MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-WBGA (9x13)

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時鐘頻率

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

54-TFBGA (8x13)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

500MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8 , 64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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Cypress Semiconductor

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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