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W632GG6MB11I

W632GG6MB11I

僅供參考

型號 W632GG6MB11I
PNEDA編號 W632GG6MB11I
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 8,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W632GG6MB11I資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W632GG6MB11I
類別半導體內存IC內存
數據表
W632GG6MB11I, W632GG6MB11I數據表 (總頁數: 160, 大小: 5,282.74 KB)
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W632GG6MB11I規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-VFBGA
供應商設備包裝96-VFBGA (7.5x13)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

90-VFBGA (8x13)

CY14B101I-SFXIT

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

3.4MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

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