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W632GG6MB12I TR

W632GG6MB12I TR

僅供參考

型號 W632GG6MB12I TR
PNEDA編號 W632GG6MB12I-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 6,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W632GG6MB12I TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W632GG6MB12I TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W632GG6MB12I TR, W632GG6MB12I TR數據表 (總頁數: 160, 大小: 5,282.74 KB)
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W632GG6MB12I TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-VFBGA
供應商設備包裝96-VFBGA (7.5x13)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

54-TFBGA (8x8)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

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