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W632GG8NB-12

W632GG8NB-12

僅供參考

型號 W632GG8NB-12
PNEDA編號 W632GG8NB-12
描述 IC SDRAM 2G DDR3 78WBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 4,968
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W632GG8NB-12資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W632GG8NB-12
類別半導體內存IC內存
數據表
W632GG8NB-12, W632GG8NB-12數據表 (總頁數: 161, 大小: 3,878.08 KB)
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W632GG8NB-12規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-VFBGA (8x10.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (128M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

183MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

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制造商

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內存類型

Volatile

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.5GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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