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W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

僅供參考

型號 W987D2HBJX6I TR
PNEDA編號 W987D2HBJX6I-TR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W987D2HBJX6I TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W987D2HBJX6I TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W987D2HBJX6I TR, W987D2HBJX6I TR數據表 (總頁數: 68, 大小: 1,470.3 KB)
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W987D2HBJX6I TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小128Mb (4M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5.4ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-VFBGA (8x13)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

750ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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內存格式

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內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI - Dual I/O

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

55µs, 6ms

訪問時間

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電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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