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W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

僅供參考

型號 W987D2HBJX7E TR
PNEDA編號 W987D2HBJX7E-TR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W987D2HBJX7E TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W987D2HBJX7E TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W987D2HBJX7E TR, W987D2HBJX7E TR數據表 (總頁數: 68, 大小: 1,470.3 KB)
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W987D2HBJX7E TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小128Mb (4M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5.4ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-VFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

119-PBGA (14x22)

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系列

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.65V ~ 3.3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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