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W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

僅供參考

型號 W987D6HBGX6E
PNEDA編號 W987D6HBGX6E
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 12,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 18 - 四月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W987D6HBGX6E資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W987D6HBGX6E
類別半導體內存IC內存
數據表
W987D6HBGX6E, W987D6HBGX6E數據表 (總頁數: 68, 大小: 1,470.3 KB)
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W987D6HBGX6E規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5.4ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-VFBGA (8x9)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

32Gb (4G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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