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XN0121100L

XN0121100L

僅供參考

型號 XN0121100L
PNEDA編號 XN0121100L
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5
制造商 Panasonic Electronic Components
單價 請求報價
庫存 3,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

XN0121100L資源

品牌 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
制造商零件編號XN0121100L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
XN0121100L, XN0121100L數據表 (總頁數: 3, 大小: 236.96 KB)
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XN0121100L規格

制造商Panasonic Electronic Components
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡150MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝Mini5-G1

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-563

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Panasonic Electronic Components

制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

150mW

安裝類型

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

420mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz, 140MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

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100mV @ 250µA, 5mA

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