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ZDS020N60TB

ZDS020N60TB

僅供參考

型號 ZDS020N60TB
PNEDA編號 ZDS020N60TB
描述 MOSFET N-CH 600V 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZDS020N60TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZDS020N60TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ZDS020N60TB, ZDS020N60TB數據表 (總頁數: 12, 大小: 675.19 KB)
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ZDS020N60TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)630mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds310pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

166nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 190mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 13µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20.9pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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