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ZDT605TC

ZDT605TC

僅供參考

型號 ZDT605TC
PNEDA編號 ZDT605TC
描述 TRANS 2NPN DARL 120V 1A SM8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZDT605TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZDT605TC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZDT605TC, ZDT605TC數據表 (總頁數: 3, 大小: 48.09 KB)
PDFZDT1147TA數據表 封面
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ZDT605TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 NPN Darlington (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2000 @ 1A, 5V
功率-最大2.75W
頻率-過渡150MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-223-8
供應商設備包裝SM8

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 50mA, 3V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

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工作溫度

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