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ZDT649TA

ZDT649TA

僅供參考

型號 ZDT649TA
PNEDA編號 ZDT649TA
描述 TRANS 2NPN 25V 2A SM8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZDT649TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZDT649TA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZDT649TA, ZDT649TA數據表 (總頁數: 3, 大小: 68.87 KB)
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ZDT649TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 2V
功率-最大2.75W
頻率-過渡240MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-223-8
供應商設備包裝SM8

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

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