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ZDT751TC

ZDT751TC

僅供參考

型號 ZDT751TC
PNEDA編號 ZDT751TC
描述 TRANS 2PNP 60V 2A SM8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZDT751TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZDT751TC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZDT751TC, ZDT751TC數據表 (總頁數: 3, 大小: 90.06 KB)
PDFZDT751TC數據表 封面
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ZDT751TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 500mA, 2V
功率-最大2.75W
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-223-8
供應商設備包裝SM8

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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Surface Mount

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.3V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

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頻率-過渡

100MHz

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

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