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ZTX692BSTZ

ZTX692BSTZ

僅供參考

型號 ZTX692BSTZ
PNEDA編號 ZTX692BSTZ
描述 TRANS NPN 70V 1A E-LINE
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZTX692BSTZ資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZTX692BSTZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZTX692BSTZ, ZTX692BSTZ數據表 (總頁數: 3, 大小: 67.31 KB)
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ZTX692BSTZ規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)70V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 10mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce400 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡150MHz
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱E-Line-3, Formed Leads
供應商設備包裝E-Line (TO-92 compatible)

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

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