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ZVN4206GVTA

ZVN4206GVTA

僅供參考

型號 ZVN4206GVTA
PNEDA編號 ZVN4206GVTA
描述 MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 231,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZVN4206GVTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZVN4206GVTA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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ZVN4206GVTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

650mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7Ohm @ 650mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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功耗(最大值)

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