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ZVNL120A

ZVNL120A

僅供參考

型號 ZVNL120A
PNEDA編號 ZVNL120A
描述 MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 25,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZVNL120A資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZVNL120A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ZVNL120A, ZVNL120A數據表 (總頁數: 3, 大小: 55.48 KB)
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ZVNL120A規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)3V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds85pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

215mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 230µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31.7A (Ta), 109A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.65mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3030pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.8W (Ta), 56.8W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6450pF @ 10V

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2.5W (Ta), 51.5W (Tc)

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