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ZXM66P02N8TC

ZXM66P02N8TC

僅供參考

型號 ZXM66P02N8TC
PNEDA編號 ZXM66P02N8TC
描述 MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXM66P02N8TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXM66P02N8TC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ZXM66P02N8TC, ZXM66P02N8TC數據表 (總頁數: 5, 大小: 329.43 KB)
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ZXM66P02N8TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs43.3nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2068pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.56W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 25V

FET功能

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

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50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

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功耗(最大值)

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