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ZXMC6A09DN8TA

ZXMC6A09DN8TA

僅供參考

型號 ZXMC6A09DN8TA
PNEDA編號 ZXMC6A09DN8TA
描述 MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMC6A09DN8TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMC6A09DN8TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMC6A09DN8TA, ZXMC6A09DN8TA數據表 (總頁數: 10, 大小: 276.71 KB)
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ZXMC6A09DN8TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.9A, 3.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1407pF @ 40V
功率-最大1.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

404pF @ 20V

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

960pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1969pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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