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ZXMD63P03XTC

ZXMD63P03XTC

僅供參考

型號 ZXMD63P03XTC
PNEDA編號 ZXMD63P03XTC
描述 MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMD63P03XTC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMD63P03XTC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMD63P03XTC, ZXMD63P03XTC數據表 (總頁數: 8, 大小: 635.37 KB)
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ZXMD63P03XTC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs185mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds270pF @ 25V
功率-最大1.04W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝8-MSOP

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.1mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2352pF @ 25V

功率-最大

68W

工作溫度

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

67mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

408pF @ 50V

功率-最大

62.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

76mOhm @ 65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 30mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

960nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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