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ZXMD65N02N8TA

ZXMD65N02N8TA

僅供參考

型號 ZXMD65N02N8TA
PNEDA編號 ZXMD65N02N8TA
描述 MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMD65N02N8TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMD65N02N8TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMD65N02N8TA, ZXMD65N02N8TA數據表 (總頁數: 4, 大小: 92.86 KB)
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ZXMD65N02N8TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID700mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2W
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 10V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

985pF @ 10V

功率-最大

900mW

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4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 4V

功率-最大

3.1W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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