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ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

僅供參考

型號 ZXMN10A08DN8TA
PNEDA編號 ZXMN10A08DN8TA
描述 MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 12,888
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN10A08DN8TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN10A08DN8TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMN10A08DN8TA, ZXMN10A08DN8TA數據表 (總頁數: 7, 大小: 179.62 KB)
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ZXMN10A08DN8TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds405pF @ 50V
功率-最大1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 16V

功率-最大

250mW

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Logic Level Gate

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 15V

功率-最大

2W

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 16µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1105pF @ 25V

功率-最大

43W

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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