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ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

僅供參考

型號 ZXMN10A08GTA
PNEDA編號 ZXMN10A08GTA
描述 MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 185,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN10A08GTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN10A08GTA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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ZXMN10A08GTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.7nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds405pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

280W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

93A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2160pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

279nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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