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ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

僅供參考

型號 ZXMN10B08E6TC
PNEDA編號 ZXMN10B08E6TC
描述 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN10B08E6TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN10B08E6TC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ZXMN10B08E6TC, ZXMN10B08E6TC數據表 (總頁數: 7, 大小: 319.87 KB)
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ZXMN10B08E6TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.3V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs230mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds497pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)1.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-26
包裝/箱SOT-23-6

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

1206-8 ChipFET™

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

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