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ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

僅供參考

型號 ZXMN3A01E6TA
PNEDA編號 ZXMN3A01E6TA
描述 MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 287,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN3A01E6TA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN3A01E6TA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ZXMN3A01E6TA, ZXMN3A01E6TA數據表 (總頁數: 7, 大小: 611.1 KB)
PDFZXMN3A01E6TC數據表 封面
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ZXMN3A01E6TA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds190pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-6
包裝/箱SOT-23-6

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

151nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5026pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

298W (Tc)

工作溫度

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