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ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

僅供參考

型號 ZXMN3A04DN8TC
PNEDA編號 ZXMN3A04DN8TC
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN3A04DN8TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN3A04DN8TC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMN3A04DN8TC, ZXMN3A04DN8TC數據表 (總頁數: 7, 大小: 188.9 KB)
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ZXMN3A04DN8TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36.8nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1890pF @ 15V
功率-最大1.81W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 25V

功率-最大

75W

工作溫度

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Surface Mount

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A, 5.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 20V

功率-最大

3W, 3.1W

工作溫度

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 10V

功率-最大

120mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 35V

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