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ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

僅供參考

型號 ZXMN6A09DN8TC
PNEDA編號 ZXMN6A09DN8TC
描述 MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 9 - 三月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMN6A09DN8TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMN6A09DN8TC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMN6A09DN8TC, ZXMN6A09DN8TC數據表 (總頁數: 7, 大小: 191.1 KB)
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ZXMN6A09DN8TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24.2nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1407pF @ 40V
功率-最大1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3450pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N and 2 P-Channel

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

52pF @ 25V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2210pF @ 25V

功率-最大

68W

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Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

215pF @ 15V

功率-最大

1.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

900mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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