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ZXT11N20DFTC

ZXT11N20DFTC

僅供參考

型號 ZXT11N20DFTC
PNEDA編號 ZXT11N20DFTC
描述 TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXT11N20DFTC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXT11N20DFTC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXT11N20DFTC, ZXT11N20DFTC數據表 (總頁數: 6, 大小: 411.38 KB)
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ZXT11N20DFTC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic130mV @ 250mA, 2.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 100mA, 2V
功率-最大625mW
頻率-過渡160MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 70mA, 700mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 700mA, 10V

功率-最大

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 6V

功率-最大

250mW

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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35V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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