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ZXT13P12DE6TC

ZXT13P12DE6TC

僅供參考

型號 ZXT13P12DE6TC
PNEDA編號 ZXT13P12DE6TC
描述 TRANS PNP 12V 4A SOT23-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXT13P12DE6TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXT13P12DE6TC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXT13P12DE6TC, ZXT13P12DE6TC數據表 (總頁數: 7, 大小: 379.52 KB)
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ZXT13P12DE6TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic175mV @ 400mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 1A, 2V
功率-最大1.1W
頻率-過渡55MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝SOT-23-6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.3W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

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