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ZXT13P20DE6TC

ZXT13P20DE6TC

僅供參考

型號 ZXT13P20DE6TC
PNEDA編號 ZXT13P20DE6TC
描述 TRANS PNP 20V 4A SOT23-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXT13P20DE6TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXT13P20DE6TC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXT13P20DE6TC, ZXT13P20DE6TC數據表 (總頁數: 7, 大小: 371.17 KB)
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ZXT13P20DE6TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 350mA, 3.5A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 1A, 2V
功率-最大1.1W
頻率-過渡90MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝SOT-26

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當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 20mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 100mA, 10V

功率-最大

1.4W

頻率-過渡

55MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 6A, 30A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

300W

頻率-過渡

-

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-204AA, TO-3

供應商設備包裝

TO-3

MPSW63

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

350 @ 2mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

125°C (TJ)

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 500mA, 2V

功率-最大

10W

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