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ZXTD09N50DE6TC

ZXTD09N50DE6TC

僅供參考

型號 ZXTD09N50DE6TC
PNEDA編號 ZXTD09N50DE6TC
描述 TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTD09N50DE6TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTD09N50DE6TC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
ZXTD09N50DE6TC, ZXTD09N50DE6TC數據表 (總頁數: 7, 大小: 626.01 KB)
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ZXTD09N50DE6TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic270mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)10nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大1.1W
頻率-過渡215MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝SOT-26

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

170mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 1A, 2V

功率-最大

653mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 3V

功率-最大

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工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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