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ZXTN19020DZTA

ZXTN19020DZTA

僅供參考

型號 ZXTN19020DZTA
PNEDA編號 ZXTN19020DZTA
描述 TRANS NPN 20V 7.5A SOT89
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 25 - 四月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTN19020DZTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTN19020DZTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTN19020DZTA, ZXTN19020DZTA數據表 (總頁數: 8, 大小: 417.47 KB)
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ZXTN19020DZTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)7.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 375mA, 7.5A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 100mA, 2V
功率-最大2.4W
頻率-過渡160MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

3-SSIP

供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

2µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

460mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

350 @ 1mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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