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ZXTN2010A

ZXTN2010A

僅供參考

型號 ZXTN2010A
PNEDA編號 ZXTN2010A
描述 TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 83,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTN2010A資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTN2010A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTN2010A, ZXTN2010A數據表 (總頁數: 6, 大小: 119.72 KB)
PDFZXTN2010A數據表 封面
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ZXTN2010A規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic210mV @ 200mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 2A, 1V
功率-最大1W
頻率-過渡130MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 70mA, 700mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 100mA, 3V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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