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ZXTN25020DGTA

ZXTN25020DGTA

僅供參考

型號 ZXTN25020DGTA
PNEDA編號 ZXTN25020DGTA
描述 TRANS NPN 20V 7A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 2 - 四月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTN25020DGTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTN25020DGTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTN25020DGTA, ZXTN25020DGTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 620.43 KB)
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ZXTN25020DGTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)7A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic290mV @ 700mA, 7A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 10mA, 2V
功率-最大3W
頻率-過渡215MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

16 @ 350mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 1V

功率-最大

25W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 5V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

125V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

75µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 100mA, 1V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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