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ZXTN25100DGTA

ZXTN25100DGTA

僅供參考

型號 ZXTN25100DGTA
PNEDA編號 ZXTN25100DGTA
描述 TRANS NPN 100V 3A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 511,872
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 23 - 二月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTN25100DGTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTN25100DGTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTN25100DGTA, ZXTN25100DGTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 506.25 KB)
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ZXTN25100DGTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 600mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 10mA, 2V
功率-最大3W
頻率-過渡175MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 12mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 3A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

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120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 350mA, 7A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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