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ZXTN4004KQTC

ZXTN4004KQTC

僅供參考

型號 ZXTN4004KQTC
PNEDA編號 ZXTN4004KQTC
描述 TRANS NPN 150V 1A TO252
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,634
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 20 - 二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTN4004KQTC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTN4004KQTC
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTN4004KQTC, ZXTN4004KQTC數據表 (總頁數: 7, 大小: 535.41 KB)
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ZXTN4004KQTC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 250mV
功率-最大3.8W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)

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25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 2mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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50mA

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11V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 100mA, 2V

功率-最大

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100V

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1.2V @ 375mA, 3A

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