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ZXTP2008ZQTA

ZXTP2008ZQTA

僅供參考

型號 ZXTP2008ZQTA
PNEDA編號 ZXTP2008ZQTA
描述 PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT89
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTP2008ZQTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTP2008ZQTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTP2008ZQTA, ZXTP2008ZQTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 257.18 KB)
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ZXTP2008ZQTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 250mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

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-

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-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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500mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 2A, 5V

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