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ZXTP2012ZTA

ZXTP2012ZTA

僅供參考

型號 ZXTP2012ZTA
PNEDA編號 ZXTP2012ZTA
描述 TRANS PNP 60V 4.3A SOT89
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 107,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXTP2012ZTA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXTP2012ZTA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
ZXTP2012ZTA, ZXTP2012ZTA數據表 (總頁數: 7, 大小: 427.01 KB)
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ZXTP2012ZTA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4.3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic215mV @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)20nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 2A, 1V
功率-最大1.5W
頻率-過渡120MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89-3

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

8V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

2MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 2mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

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