Renesas Electronics America 晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置
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類別半導體 / 晶體管 / 晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置
制造商Renesas Electronics America
記錄 1
頁面 1/1
圖片 |
型號 |
制造商 |
描述 |
庫存 |
數量 |
系列 | 晶體管類型 | 當前-集電極（Ic）（最大值） | 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 電阻-基本（R1） | 電阻-發射極基（R2） | 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce | Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic | 當前-集電極截止（最大值） | 頻率-過渡 | 功率-最大 | 安裝類型 | 包裝/箱 | 供應商設備包裝 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Renesas Electronics America |
TRANSISTOR NPN SC62-3 |
5,850 |
|
HD1 | NPN - Pre-Biased | 1A | 60V | 1kOhms | 1kOhms | 200 @ 1A, 2V | - | 100nA (ICBO) | - | 2W | Surface Mount | TO-243AA | SC-62 |