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描述
庫存
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MT44K32M18RB-125:A TR
MT44K32M18RB-125:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 576Mb (32M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 12ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存7,236
MT44K32M18RB-125E:A
MT44K32M18RB-125E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 576Mb (32M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存6,480
MT44K32M18RB-125E:A TR
MT44K32M18RB-125E:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 576Mb (32M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存2,520
MT44K32M18RB-125E IT:A
MT44K32M18RB-125E IT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 576Mb (32M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存7,866
MT44K32M18RB-125E IT:A TR
MT44K32M18RB-125E IT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 576Mb (32M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 10ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存7,542
MT44K32M18RB-125F:A
MT44K32M18RB-125F:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 576Mb (32M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存2,556
MT44K32M18RB-125F:A TR
MT44K32M18RB-125F:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 576Mb (32M x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存8,550
MT44K32M36RB-083E:A
MT44K32M36RB-083E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA
庫存5,832
MT44K32M36RB-083E:A TR
MT44K32M36RB-083E:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA
庫存3,870
MT44K32M36RB-083F:A
MT44K32M36RB-083F:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6.67ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA
庫存3,006
MT44K32M36RB-083F:A TR
MT44K32M36RB-083F:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6.67ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA
庫存8,964
MT44K32M36RB-093E:A
MT44K32M36RB-093E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1067MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA
庫存3,237
MT44K32M36RB-093E:A TR
MT44K32M36RB-093E:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1067MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA
庫存8,982
MT44K32M36RB-093F:A
MT44K32M36RB-093F:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1067MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA
庫存2,376
MT44K32M36RB-093F:A TR
MT44K32M36RB-093F:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1067MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA
庫存8,532
MT44K32M36RB-107E:A
MT44K32M36RB-107E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA
庫存8,890
MT44K32M36RB-107E:A TR
MT44K32M36RB-107E:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA
庫存5,940
MT44K32M36RB-107E IT:A
MT44K32M36RB-107E IT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA
庫存6,552
MT44K32M36RB-107E IT:A TR
MT44K32M36RB-107E IT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA
庫存5,976
MT44K32M36RCT-125:A TR
MT44K32M36RCT-125:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 12ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-LBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存7,704
MT44K32M36RCT-125E:A TR
MT44K32M36RCT-125E:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 12ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,068
MT44K32M36RCT-125 IT:A TR
MT44K32M36RCT-125 IT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (32Mb x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 800MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 12ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,916
MT44K64M18RB-083E:A
MT44K64M18RB-083E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存3,816
MT44K64M18RB-083E:A TR
MT44K64M18RB-083E:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存3,330
MT44K64M18RB-083F:A
MT44K64M18RB-083F:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6.67ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存4,374
MT44K64M18RB-083F:A TR
MT44K64M18RB-083F:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1200MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 6.67ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存8,568
MT44K64M18RB-093E:A
MT44K64M18RB-093E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1067MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存6,304
MT44K64M18RB-093E:A TR
MT44K64M18RB-093E:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1067MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存6,336
MT44K64M18RB-093F:A
MT44K64M18RB-093F:A

Micron Technology Inc.

內存

RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1067MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存8,892
MT44K64M18RB-093F:A TR
MT44K64M18RB-093F:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: DRAM
  • 內存大小: 1.125Gb (64Mb x 18)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 1067MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 1.28V ~ 1.42V
  • 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-TBGA
  • 供應商設備包裝: 168-BGA (13.5x13.5)
庫存2,754