Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

內存IC

記錄 47,332
頁面 1202/1578
圖片
型號
描述
庫存
數量
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 32G 933MHZ FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 內存大小: 32Gb (512M x 64)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.2V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 253-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 253-VFBGA (11x11.5)
庫存8,082
MT52L768M32D3PU-107 WT:B
MT52L768M32D3PU-107 WT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 24G 933MHZ FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 內存大小: 24Gb (768M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.2V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存6,930
MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR
MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 內存大小: 24Gb (768M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.2V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存6,066
MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR
MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 內存大小: 24Gb (768M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 933MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.2V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 168-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 168-FBGA (12x12)
庫存9,419
MT52L8DBQC-DC
MT52L8DBQC-DC

Micron Technology Inc.

內存

SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: *
  • 內存類型: -
  • 內存格式: -
  • 技術: -
  • 內存大小: -
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,984
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 32Gb (1G x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1866MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-VFBGA (10x14.5)
庫存5,508
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 32Gb (1G x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1866MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-VFBGA (10x14.5)
庫存4,806
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 32Gb (1G x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-VFBGA (10x14.5)
庫存8,190
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 32Gb (1G x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-VFBGA (10x14.5)
庫存6,552
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 32Gb (1G x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-VFBGA (10x14.5)
庫存4,104
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 32Gb (1G x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-VFBGA (10x14.5)
庫存4,482
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 64Gb (1G x 64)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,230
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 64Gb (1G x 64)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,312
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 64Gb (1G x 64)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,462
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 64G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 64Gb (1G x 64)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存8,010
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1866MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1866MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存3,816
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1866MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1866MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存6,084
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存13,938
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存2,970
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存10,476
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存2,646
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存3,582
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存4,266
MT53B128M32D1DS-062 IT:A
MT53B128M32D1DS-062 IT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM LPDDR4 4G FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1.6GHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,222
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存6,714
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存5,292
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存8,604
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存7,956
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存8,010
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G 1600MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 內存大小: 4Gb (128M x 32)
  • 內存接口: -
  • 時鐘頻率: 1600MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.1V
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 200-WFBGA
  • 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)
庫存5,364