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型號	描述	庫存
MT53D4DGSB-DC TR Micron Technology Inc.	內存 SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,412
MT53D4DHSB-DC Micron Technology Inc.	內存 SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,160
MT53D4DHSB-DC TR Micron Technology Inc.	內存 SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,948
MT53D4G16D8AL-062 WT:E Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 SMD 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,114
MT53D4G16D8AL-062 WT:E TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 SMD 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,122
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 8Gb (512M x 16) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,328
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 8Gb (512M x 16) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,910
MT53D512M16D1DS-046 AIT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 8Gb (512M x 16) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,748
MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 8Gb (512M x 16) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: -40°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,142
MT53D512M16D1DS-046 WT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 8Gb (512M x 16) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,616
MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: Automotive, AEC-Q100 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 8Gb (512M x 16) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,582
MT53D512M16D1Z11MWC2 Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 8G DIE 512MX16 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,484
MT53D512M16D1Z11MWC2 ES Micron Technology Inc.	內存 LPDDR4 8G DIE 512MX16 制造商: Micron Technology Inc. 系列: * 內存類型: - 內存格式: - 技術: - 內存大小: - 內存接口: - 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,768
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 16G 2133MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存426
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 16G 2133MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存5,076
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 16G 2133MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存4,641
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 16G 2133MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存6,030
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 16G 2133MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存3,543
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 16G 2133MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 125°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存5,310
MT53D512M32D2DS-046 IT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 95°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,721
MT53D512M32D2DS-046 IT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 95°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,824
MT53D512M32D2DS-046 WT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,896
MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2.133GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,796
MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 2133MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存7,362
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 16G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存396
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 16G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存2,538
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 16G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存5,147
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 16G 1866MHZ 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1866MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 200-WFBGA 供應商設備包裝: 200-WFBGA (10x14.5)	庫存3,384
MT53D512M32D2DS-053 AUT:D Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1.866GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存143
MT53D512M32D2DS-053 AUT:D TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM LPDDR4 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: SDRAM - Mobile LPDDR4 內存大小: 16Gb (512M x 32) 內存接口: - 時鐘頻率: 1.866GHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 0.6V, 1.1V 工作溫度: -40°C ~ 125°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,658

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