內存IC

STK22C48-SF25

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: NVSRAM
• 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOIC

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STK22C48-SF25I

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: NVSRAM
• 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOIC

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STK22C48-SF25ITR

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: NVSRAM
• 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOIC

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STK22C48-SF25TR

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: NVSRAM
• 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOIC

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STK22C48-SF45

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: NVSRAM
• 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 45ns
• 訪問時間: 45ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOIC

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STK22C48-SF45I

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: NVSRAM
• 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 45ns
• 訪問時間: 45ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOIC

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STK22C48-SF45ITR

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: NVSRAM
• 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 45ns
• 訪問時間: 45ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOIC

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STK22C48-SF45TR

Cypress Semiconductor

內存

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: NVSRAM
• 技術: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 內存大小: 16Kb (2K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 45ns
• 訪問時間: 45ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOIC

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SX-3130-1658

Cypress Semiconductor

內存

IC FLASH NOR

• 制造商: Cypress Semiconductor Corp
• 系列: -
• 內存類型: -
• 內存格式: -
• 技術: -
• 內存大小: -
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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TC58BVG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 63-VFBGA
• 供應商設備包裝: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BVG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 67-VFBGA
• 供應商設備包裝: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58BVG0S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 48-TSOP I

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TC58BVG0S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 48-TSOP I

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TC58BVG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

內存

2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 63-VFBGA
• 供應商設備包裝: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BVG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 67-VFBGA
• 供應商設備包裝: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58BVG1S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 48-TSOP I

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TC58BVG1S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 48-TSOP I

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TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 4Gb (512M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 63-VFBGA
• 供應商設備包裝: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BVG2S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 4Gb (512M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 48-TSOP I

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TC58BVG2S0HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 4Gb (512M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 48-TSOP I

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TC58BYG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

內存

1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 63-VFBGA
• 供應商設備包裝: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BYG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 67-VFBGA
• 供應商設備包裝: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58BYG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

內存

2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: -
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 63-VFBGA
• 供應商設備包裝: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BYG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 67-VFBGA
• 供應商設備包裝: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

內存

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 4G (512M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 63-VFBGA
• 供應商設備包裝: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: Benand™
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 4Gb (512M x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 67-VFBGA
• 供應商設備包裝: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58CVG0S3HQAIE

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: SPI - Quad I/O
• 時鐘頻率: 104MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 155µs
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOP

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TC58CVG0S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 1Gb (128M x 8)
• 內存接口: SPI - Quad I/O
• 時鐘頻率: 104MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 155µs
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-WDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-WSON (6x8)

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TC58CVG1S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

內存

2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 2Gb (256M x 8)
• 內存接口: SPI
• 時鐘頻率: 104MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: -
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-WDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 8-WSON (6x8)

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TC58CVG2S0HQAIE

Toshiba Memory America, Inc.

內存

IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

• 制造商: Toshiba Memory America, Inc.
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH - NAND (SLC)
• 內存大小: 4Gb (512M x 8)
• 內存接口: SPI - Quad I/O
• 時鐘頻率: 104MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 280µs
• 電壓-供電: 2.7V ~ 3.6V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOP

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