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描述
庫存
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W9412G6JH-4
W9412G6JH-4

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 48ns
  • 電壓-供電: 2.4V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存7,884
W9412G6JH-5I
W9412G6JH-5I

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 50ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存8,172
W9412G6KH-4
W9412G6KH-4

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 48ns
  • 電壓-供電: 2.4V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存2,520
W9412G6KH-4 TR
W9412G6KH-4 TR

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: 12ns
  • 訪問時間: 48ns
  • 電壓-供電: 2.4V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存2,664
W9412G6KH-5
W9412G6KH-5

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 50ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存124,338
W9412G6KH-5I
W9412G6KH-5I

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 50ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存3,834
W9412G6KH-5I TR
W9412G6KH-5I TR

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 50ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存8,262
W9412G6KH-5 TR
W9412G6KH-5 TR

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 128Mb (8M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 50ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存7,452
W9425G6EH-5
W9425G6EH-5

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存12,297
W9425G6JB-5
W9425G6JB-5

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)
庫存5,166
W9425G6JB-5I
W9425G6JB-5I

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)
庫存5,274
W9425G6JB-5I TR
W9425G6JB-5I TR

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)
庫存3,618
W9425G6JB-5 TR
W9425G6JB-5 TR

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-TFBGA (8x13)
庫存3,366
W9425G6KH-4
W9425G6KH-4

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 52ns
  • 電壓-供電: 2.4V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存5,220
W9425G6KH-5
W9425G6KH-5

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存12,648
W9425G6KH-5I
W9425G6KH-5I

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存8,262
W9425G6KH-5I TR
W9425G6KH-5I TR

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存3,384
W9425G6KH-5 TR
W9425G6KH-5 TR

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 256Mb (16M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存5,958
W9464G6JH-4
W9464G6JH-4

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 64Mb (4M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.4V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存3,580
W9464G6JH-5
W9464G6JH-5

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 64Mb (4M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存3,420
W9464G6JH-5I
W9464G6JH-5I

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 64Mb (4M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存1,340
W9464G6KH-4
W9464G6KH-4

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 64Mb (4M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.4V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存6,534
W9464G6KH-4 TR
W9464G6KH-4 TR

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 64Mb (4M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 250MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.4V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存5,346
W9464G6KH-5
W9464G6KH-5

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 64Mb (4M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存158,645
W9464G6KH-5I
W9464G6KH-5I

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 64Mb (4M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存3,456
W9464G6KH-5I TR
W9464G6KH-5I TR

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 64Mb (4M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存5,058
W9464G6KH-5 TR
W9464G6KH-5 TR

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR
  • 內存大小: 64Mb (4M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 55ns
  • 電壓-供電: 2.3V ~ 2.7V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 供應商設備包裝: 66-TSOP II
庫存6,138
W947D2HBJX5E
W947D2HBJX5E

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存7,434
W947D2HBJX5E TR
W947D2HBJX5E TR

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存3,526
W947D2HBJX5I
W947D2HBJX5I

Winbond Electronics

內存

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • 制造商: Winbond Electronics
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - Mobile LPDDR
  • 內存大小: 128Mb (4M x 32)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 5ns
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 90-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 90-VFBGA (8x13)
庫存3,294