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描述
庫存
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71V3556SA166BG
71V3556SA166BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存7,074
71V3556SA166BG8
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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存3,222
71V3556SA166BGG
71V3556SA166BGG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存4,068
71V3556SA166BGG8
71V3556SA166BGG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存3,580
71V3556SA166BGGI
71V3556SA166BGGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存3,562
71V3556SA166BGGI8
71V3556SA166BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存5,418
71V3556SA166BGI
71V3556SA166BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存3,384
71V3556SA166BGI8
71V3556SA166BGI8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存8,154
71V3556SA166BQ
71V3556SA166BQ

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存7,182
71V3556SA166BQ8
71V3556SA166BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存4,302
71V3556SA166BQG
71V3556SA166BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存8,622
71V3556SA166BQG8
71V3556SA166BQG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存6,282
71V3556SA166BQGI
71V3556SA166BQGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存3,852
71V3556SA166BQGI8
71V3556SA166BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 166MHz
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 3.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 165-TBGA
  • 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)
庫存6,120
71V3557S75BG
71V3557S75BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存4,086
71V3557S75BG8
71V3557S75BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存8,550
71V3557S75BGG
71V3557S75BGG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存7,074
71V3557S75BGG8
71V3557S75BGG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存7,074
71V3557S75BGI
71V3557S75BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存2,070
71V3557S75BGI8
71V3557S75BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存4,590
71V3557S75PFG
71V3557S75PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存7,056
71V3557S75PFG8
71V3557S75PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存3,492
71V3557S75PFGI
71V3557S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存5,184
71V3557S75PFGI8
71V3557S75PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 7.5ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存2,610
71V3557S80BG
71V3557S80BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存6,282
71V3557S80BG8
71V3557S80BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存3,294
71V3557S80BGI
71V3557S80BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存4,536
71V3557S80BGI8
71V3557S80BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 119-BGA
  • 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)
庫存2,052
71V3557S80PFG
71V3557S80PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存8,244
71V3557S80PFG8
71V3557S80PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: SRAM
  • 技術: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
  • 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: 8ns
  • 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
  • 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 100-LQFP
  • 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)
庫存4,608