內存IC

71V35761S200BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.1ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761S200BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.1ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761S200BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.1ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761S200PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.1ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V35761S200PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.1ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 100-LQFP
• 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

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71V35761SA166BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA166BG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA166BGG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA166BGGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA166BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA166BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA166BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V35761SA166BQG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V35761SA166BQGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V35761SA166BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.5ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V35761SA183BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA183BG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA183BGG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA183BGGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA183BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA183BGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA183BGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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71V35761SA183BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V35761SA183BQG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 183MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.3ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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71V35761SA200BG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.1ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.1ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, SDR
• 內存大小: 4.5Mb (128K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.1ns
• 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 119-BGA
• 供應商設備包裝: 119-PBGA (14x22)

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