內存IC

型號	描述	庫存
71V3579S80PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 100MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存8,460
71V3579S85PFG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 87MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存8,082
71V3579S85PFG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 87MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存6,822
71V3579S85PFGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 87MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存6,444
71V3579S85PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, SDR 內存大小: 4.5Mb (256K x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 87MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.5ns 電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 100-LQFP 供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)	庫存6,840
71V416L10BE IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-TFBGA 供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)	庫存8,424
71V416L10BE8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-TFBGA 供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)	庫存7,686
71V416L10BEG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-TFBGA 供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)	庫存6,696
71V416L10BEG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-TFBGA 供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)	庫存5,634
71V416L10PHG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存4,338
71V416L10PHG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存2,790
71V416L10PHGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存6,678
71V416L10PHGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存8,586
71V416L10YG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-SOJ	庫存4,014
71V416L10YG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-SOJ	庫存8,802
71V416L10YGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-SOJ	庫存7,416
71V416L10YGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 10ns 訪問時間: 10ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-SOJ	庫存4,896
71V416L12BE IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-TFBGA 供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)	庫存8,658
71V416L12BE8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-TFBGA 供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)	庫存8,838
71V416L12BEG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-TFBGA 供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)	庫存2,520
71V416L12BEG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-TFBGA 供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)	庫存8,784
71V416L12BEGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-TFBGA 供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)	庫存3,330
71V416L12BEGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-TFBGA 供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)	庫存7,650
71V416L12BEI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-TFBGA 供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)	庫存7,830
71V416L12BEI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 48-TFBGA 供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)	庫存2,664
71V416L12PHG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存8,064
71V416L12PHG/3247 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存4,698
71V416L12PHG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存5,634
71V416L12PHGI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存17,700
71V416L12PHGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Asynchronous 內存大小: 4Mb (256K x 16) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: 12ns 訪問時間: 12ns 電壓-供電: 3V ~ 3.6V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝: 44-TSOP II	庫存6,228

71V3579S80PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 100MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存8,460

71V3579S85PFG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 87MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存8,082

71V3579S85PFG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 87MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存6,822

71V3579S85PFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 87MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存6,444

71V3579S85PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, SDR
內存大小: 4.5Mb (256K x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 87MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.5ns
電壓-供電: 3.135V ~ 3.465V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 100-LQFP
供應商設備包裝: 100-TQFP (14x14)

庫存6,840

71V416L10BE

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-TFBGA
供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)

庫存8,424

71V416L10BE8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-TFBGA
供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)

庫存7,686

71V416L10BEG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-TFBGA
供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)

庫存6,696

71V416L10BEG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-TFBGA
供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)

庫存5,634

71V416L10PHG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存4,338

71V416L10PHG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存2,790

71V416L10PHGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存6,678

71V416L10PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存8,586

71V416L10YG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-SOJ

庫存4,014

71V416L10YG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-SOJ

庫存8,802

71V416L10YGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-SOJ

庫存7,416

71V416L10YGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 10ns
訪問時間: 10ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-SOJ

庫存4,896

71V416L12BE

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-TFBGA
供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)

庫存8,658

71V416L12BE8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-TFBGA
供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)

庫存8,838

71V416L12BEG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-TFBGA
供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)

庫存2,520

71V416L12BEG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-TFBGA
供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)

庫存8,784

71V416L12BEGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-TFBGA
供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)

庫存3,330

71V416L12BEGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-TFBGA
供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)

庫存7,650

71V416L12BEI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-TFBGA
供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)

庫存7,830

71V416L12BEI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 48-TFBGA
供應商設備包裝: 48-CABGA (9x9)

庫存2,664

71V416L12PHG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存8,064

71V416L12PHG/3247

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存4,698

71V416L12PHG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存5,634

71V416L12PHGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存17,700

71V416L12PHGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Asynchronous
內存大小: 4Mb (256K x 16)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: 12ns
訪問時間: 12ns
電壓-供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝: 44-TSOP II

庫存6,228

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