晶體管

型號	描述	庫存
AUIRF7734M2TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 43A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2545pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ M2 包裝/箱: DirectFET™ Isometric M2	庫存8,694
AUIRF7736M2TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 108A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 108nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4267pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ M4 包裝/箱: DirectFET™ Isometric M4	庫存6,210
AUIRF7737L2TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 156A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 134nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5469pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L6 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6	庫存8,406
AUIRF7738L2TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 130A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 194nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7471pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L6 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6	庫存7,434
AUIRF7739L2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET2 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta), 270A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存7,704
AUIRF7739L2TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta), 270A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11880pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存6,948
AUIRF7749L2TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Ta), 345A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 275nC @ 10V Vgs（最大）: 60V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10655pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 341W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存30,480
AUIRF7759L2TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12222pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存3,906
AUIRF7769L2TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11560pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存7,092
AUIRF7799L2TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6714pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存3,024
AUIRF7805Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 13A 8-SO 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存6,642
AUIRF7805QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 13A 8-SO 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,362
AUIRF8736M2TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 137A AUTO 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 137A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 204nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6867pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ M4 包裝/箱: DirectFET™ Isometric M4	庫存8,046
AUIRF8739L2TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 545A AUTO 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 57A (Ta), 545A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 562nC @ 10V Vgs（最大）: 40V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 340W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET L8 包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8	庫存8,874
AUIRF9540N Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 97nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 140W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,662
AUIRF9Z34N Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存17,112
AUIRFB3207 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,506
AUIRFB3806 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,208
AUIRFB4410 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5150pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,696
AUIRFB4610 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 73A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3550pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 190W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,586
AUIRFB8405 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5193pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 163W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存151,546
AUIRFB8407 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 225nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7330pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 230W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存2,250
AUIRFB8409 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 450nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14240pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,780
AUIRFBA1405 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 55V 95A SUPER-220 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 101A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5480pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 330W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: SUPER-220™ (TO-273AA) 包裝/箱: TO-273AA	庫存5,256
AUIRFL014N Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,424
AUIRFL014NTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存7,614
AUIRFL024N Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存8,946
AUIRFL024NTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存6,894
AUIRFN7107TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 75A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3001pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 4.4W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,102
AUIRFN7110TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 100V 58A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,524

AUIRF7734M2TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 43A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2545pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ M2
包裝/箱: DirectFET™ Isometric M2

庫存8,694

AUIRF7736M2TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 108A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 65A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 108nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4267pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ M4
包裝/箱: DirectFET™ Isometric M4

庫存6,210

AUIRF7737L2TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 156A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 134nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5469pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L6
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6

庫存8,406

AUIRF7738L2TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Ta), 130A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 194nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7471pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L6
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L6

庫存7,434

AUIRF7739L2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET2

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta), 270A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存7,704

AUIRF7739L2TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A (Ta), 270A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1mOhm @ 160A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11880pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存6,948

AUIRF7749L2TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A (Ta), 345A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 120A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 275nC @ 10V
Vgs（最大）: 60V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10655pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 341W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存30,480

AUIRF7759L2TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12222pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存3,906

AUIRF7769L2TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11560pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存7,092

AUIRF7799L2TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 375A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6714pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存3,024

AUIRF7805Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 13A 8-SO

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存6,642

AUIRF7805QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 13A 8-SO

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,362

AUIRF8736M2TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 137A AUTO

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 137A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 204nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6867pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ M4
包裝/箱: DirectFET™ Isometric M4

庫存8,046

AUIRF8739L2TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 545A AUTO

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 57A (Ta), 545A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.6mOhm @ 195A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 562nC @ 10V
Vgs（最大）: 40V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 340W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET L8
包裝/箱: DirectFET™ Isometric L8

庫存8,874

AUIRF9540N

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 97nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 140W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,662

AUIRF9Z34N

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存17,112

AUIRFB3207

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,506

AUIRFB3806

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,208

AUIRFB4410

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5150pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,696

AUIRFB4610

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 73A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3550pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 190W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,586

AUIRFB8405

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5193pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 163W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存151,546

AUIRFB8407

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7330pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 230W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存2,250

AUIRFB8409

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 195A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 450nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14240pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,780

AUIRFBA1405

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 55V 95A SUPER-220

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 101A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5480pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 330W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: SUPER-220™ (TO-273AA)
包裝/箱: TO-273AA

庫存5,256

AUIRFL014N

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,424

AUIRFL014NTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存7,614

AUIRFL024N

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存8,946

AUIRFL024NTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存6,894

AUIRFN7107TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 75A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3001pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4.4W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,102

AUIRFN7110TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 100V 58A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 58A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,524

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