晶體管

型號	描述	庫存
IRF830 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,914
IRF830 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商: STMicroelectronics 系列: PowerMESH™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 100W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存6,084
IRF8301MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Ta), 192A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6140pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MT 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MT	庫存37,212
IRF8302MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 31A MX 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 190A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6030pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存2,844
IRF8302MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 31A MX 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 190A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6030pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存2,844
IRF8304MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 28A MX 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 170A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存6,624
IRF8304MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 28A MX 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 170A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 100W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存34,074
IRF8306MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 140A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4110pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存7,056
IRF8306MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 140A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4110pF @ 15V FET功能: Schottky Diode (Body) 功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存8,136
IRF8308MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 27A MX 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4404pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存5,904
IRF8308MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 27A MX 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4404pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX	庫存5,688
IRF830A Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存5,400
IRF830AL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存8,658
IRF830ALPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存17,904
IRF830APBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存18,270
IRF830AS Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,892
IRF830ASPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存13,356
IRF830ASTRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,408
IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存2,574
IRF830BPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,650
IRF830L Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I2PAK 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存3,186
IRF830LPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-262-3 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	庫存7,290
IRF830PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 PLANAR >= 100V 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,726
IRF830PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存14,316
IRF830S Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存8,982
IRF830SPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存21,432
IRF830STRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存7,704
IRF830STRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存93,654
IRF830STRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	庫存6,012
IRF8327STR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 14A SQ 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ	庫存5,454

IRF830

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,914

IRF830

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220

制造商: STMicroelectronics
系列: PowerMESH™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存6,084

IRF8301MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Ta), 192A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6140pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MT
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MT

庫存37,212

IRF8302MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 31A MX

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 190A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6030pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存2,844

IRF8302MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 31A MX

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 31A (Ta), 190A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6030pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存2,844

IRF8304MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 28A MX

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 170A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存6,624

IRF8304MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 28A MX

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 170A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4700pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 100W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存34,074

IRF8306MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 140A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4110pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存7,056

IRF8306MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 140A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4110pF @ 15V
FET功能: Schottky Diode (Body)
功耗（最大值）: 2.1W (Ta), 75W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存8,136

IRF8308MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 27A MX

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4404pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存5,904

IRF8308MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 27A MX

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4404pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MX
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MX

庫存5,688

IRF830A

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存5,400

IRF830AL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存8,658

IRF830ALPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存17,904

IRF830APBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存18,270

IRF830AS

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,892

IRF830ASPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存13,356

IRF830ASTRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,408

IRF830ASTRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存2,574

IRF830BPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,650

IRF830L

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I2PAK
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存3,186

IRF830LPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-262-3
包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

庫存7,290

IRF830PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

PLANAR >= 100V

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,726

IRF830PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存14,316

IRF830S

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存8,982

IRF830SPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存21,432

IRF830STRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存7,704

IRF830STRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存93,654

IRF830STRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK
包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

庫存6,012

IRF8327STR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A SQ

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SQ
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SQ

庫存5,454

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